随着新能源汽车、智能电网、轨道交通等高压场景快速发展，市场对高耐压、低损耗功率半导体器件需求持续增长。作为第四代半导体核心材料，氧化镓凭借低导通损耗、高耐压等优势，被视为下一代高压功率电子的战略材料，同时被纳入国家战略性新兴产业重点方向。长期以来，氧化镓从材料优势走向量产芯片，高质量同质外延技术是其产业化的主要技术难点。在国际主流的氧化镓晶面上，外延生长极易出现缺陷，导致器件良率和实际耐压远低于理
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